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第三百五十四章 新型半导体材料（第2页）

从而控制住了漏电的情况，最终成功地突破了28纳米制程工艺的极限。

而目前的大多数的芯片都是采用这种全新的结构，从而保证处理器芯片的良品率。

随着目前半导体行业的发展，处理器芯片制程已经完全的开始达到三纳米，而三纳米则是一个非常困难的发展限制。

这种立体的晶体管结构已经完全无法驾驭住三纳米的自产工艺若是突破了3纳米制成工艺之后，会出现相应的漏电，从而导致良品率的逐步下降。

而在去年公布即将采用1纳米的台基电，虽然本质的制程工艺只有2纳米水准，但就算如此整个生产线的良品率其实还不到10，这也让目前的台积电无法真正地开始将1纳米的制程工艺进行商用。

现在的光刻机的制程工艺想要更进一步，需要做出更大的改变，当然目前是拥有着两种改变的方式。

第一种是进行处理器芯片晶体管的全新架构的研发，目前有部分的科学家提出了全环栅极晶体管排列技术。

这项技术是一代技术的升级版本，其最大的难度就是将原本的三面环绕变成了至少九面以的环绕，从而保证电流经过栅极的时候不会漏电。

当然这项技术的难度是非常之高的，想要完全的将这项技术真正的运用，并且时间需要非常多的人力物力去研发。

以至于现在的各国都没有将这项技术完全的研发出来，并且运用到接下来的半导体芯片的生产之中。

第二种办法就是采用其他的材料，将原本的材料换成密度更高，更加稳定的半导体材料。

而系统目前奖励的这项技术就是将原先的硅材料换成了碳基材料，从而实现新的半导体材料的变更，这种半导体材料配合着原有的技术能够使得芯片的晶体管达到05纳米的制程。

这种真正意义的改变，能够使得手机的芯片的晶体管数量进一步的提升，并且能够使得手机真正的达到性能的突飞猛进。

而拥有了这项技术再加全新的光刻机配合，目前华腾半导体芯片设计能力，完全能够研发出更为强劲的处理器芯片。

只不过这项技术完全无法靠一家公司去真正的实现，新材料的变更，必须需要大量的资金配合着技术人员的研发，才能够将新的轨迹的半导体材料完全的研发出来并且运用到目前的半导体领域。

这一项全新的半导体技术，想要从理论突破成真实地记述其不仅需要花费大量的资金，同时也需要花费大量的人力物力。

虽然说现在莓族科技公司的水平已经达到了一种新的高度，但是其拥有的资金以及整体的科研人员来说，根本无法真正意义的将所谓的新半导体材料研发出来。

这项全新的材料技术还是需要跟更多的企业甚至是方进行深度的合作，从而使得真正意义的将全新的半导体材料研发出来。

不过到目前的这项半导体材料完全的研发出来，未来的半导体行业基本都是由华国说了算。

“恭喜宿主获得复合型散热铝合金材料！”

相比于第一项技术来说，第二项技术就相对于来说有点弱了。

第二项技术则是一种全新的散热型材料，这种散热型材料能够使得手机内部的热量完全的通过物理流体方式从而实现快速降温。

而这项全新的材料若是运用在手机之中，能够在三分钟之内将45度的手机温度直接降到40度以下。

这一项全新的新型散热材料，可以完全的运用在手机内部充当散热材料，同时也能够将这样的材料做成手机散热壳，从而充当配件去销售获得一定的产品利润。

并且这项技术相对于一项奖励来说要简单的太多，基本这家公司的人缘靠着实力变，可以完全的将这项技术研发出来，甚至能够在接下来时间之内将这项技术完全的运用在实际的产品之。

可以说这项技术是一项极为优秀好研发的技术，并且能够帮助自家公司快速的获得相应的资金收入。

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